สินค้า

สินค้าแนะนำ

สินค้าใหม่ทั้งหมด

1370nm DFB สร้างขึ้นใน Isolator Butterfly Laser Diode

1370nm DFB ในตัว Isolator Butterfly Laser Diode กำลังขับสูง 4 ~ 100mW Isolator ในตัว, TEC, เทอร์มิสเตอร์และจอภาพ PD แพ็คเกจผีเสื้อ 14 พินปิดผนึกอย่างผนึกแน่น PAL และ NTSC สามารถโหลดระบบได้

ส่งคำถาม

รายละเอียดสินค้า

1. สรุป 1370nm DFB ที่สร้างขึ้นใน Isolator Butterfly Laser Diode

1370nm DFB ในตัว Isolator Butterfly Laser Diode กำลังขับสูง 4 ~ 100mW Isolator ในตัว, TEC, เทอร์มิสเตอร์และจอภาพ PD แพ็คเกจผีเสื้อ 14 พินปิดผนึกอย่างผนึกแน่น PAL และ NTSC สามารถโหลดระบบได้

2. การแนะนำ DFB 1370nm ในตัว Isolator Butterfly Laser Diode

3. คุณสมบัติของ 1370nm DFB ในตัว Isolator Butterfly Laser Diode

SM สเปกตรัมเสถียร 1370nm เลเซอร์ไดโอด;

กำลังขับสูง 10mW หรือ 20mW;

อินทิกรัลเทอร์มิสเตอร์ & TEC;

การป้องกัน ESD แบบบูรณาการ;

โฟโตไดโอดการติดตามเชิงเส้นแบบอินทิกรัล

4. การประยุกต์ใช้ 1370nm DFB ในตัว Isolator Butterfly Laser Diode

การสื่อสารด้วยไฟเบอร์ออปติก

แหล่งกำเนิดแสง;

เส้นทางข้างหน้าของ CATV

5. ลักษณะทางไฟฟ้าแสง (T = 25â„ƒ) ของ 1370nm DFB ในตัว Isolator Butterfly Laser Diode

พารามิเตอร์	สัญลักษณ์	สภาพ	นาที.	ประเภท	แม็กซ์	หน่วย
ความยาวคลื่นกลาง	เข้าใจแล้ว	TL=15ï½ž35â„ƒ CW	1368	1370	1372	นาโนเมตร
กำลังขับออฟติคอล	ป	-	10	-	-	มิลลิวัตต์
เกณฑ์ปัจจุบัน	ITH	-	-	10	35	mA
ประสิทธิภาพความลาดชัน	ƞ	CW กำลังขับ 5mW	0.05	0.11	0.2	mW/mA
การดำเนินงานปัจจุบัน	Iop	PO= 10 mW (CW)	-	100	200	mA
ความกว้างของเส้นสเปกตรัม	LW	FWHM	-	3	-	MHz
แรงดันเลเซอร์ไปข้างหน้า	VF	CW กำลังขับ 10mW	-	1.2	3.0	V
ตรวจสอบกระแสมืด	ไอดี	-	-	-	0.1	Î¼A
แบนด์วิดธ์(@-3dB)	BW	-	-	2.5	-	GHz
อัตราส่วนการปราบปรามโหมดด้านข้าง	SMSR	CW	35	40	-	เดซิเบล
การแยกแสง	-	-10 < TC < +70â„ƒ	30	-	-	เดซิเบล
เสียงความเข้มสัมพัทธ์	ริน	CW กำลังขับ 5mW	-	-145	-	เดซิเบล
TEC ตั้งอุณหภูมิ	Ts	-	15	-	35	℃
อิมพีแดนซ์อินพุต	ZIN	-	22	25	28	Ω
กระแสไฟเทอร์มิสเตอร์	ไอทีซี	-	10	-	100	Î¼A
ความต้านทานเทอร์มิสเตอร์	RTH	TL = 25â„ƒ	9.5	10	10.5	KÎ©
TEC ปัจจุบัน	ไอเทค	TL = 25â„ƒ, TC =70â„ƒ	-	-	1.5	A
แรงดัน TEC	VTEC	TL = 25â„ƒ, TC =70â„ƒ	-	-	3.5	V
ความจุ TEC	Î” ท	Tc = 70â„ƒ	-	-	50	℃
อุณหภูมิเทอร์มิสเตอร์	-	-	-	-	100	℃
ดริฟท์ความยาวคลื่น (EOL)	â–³Î»	สอบผ่านแล้ว อายุการใช้งาน 25 ปี	-	-	±0.1	นาโนเมตร
ค่าสัมประสิทธิ์อุณหภูมิความยาวคลื่น	Î”Î»/Î”T	อุณหภูมิ TEC ที่ 15 ถึง 35 องศา	-	0.09	-	นาโนเมตร/â„ƒ
ความยาวคลื่น ค่าสัมประสิทธิ์กระแส	Î”Î»/Î”Î™	-	-	0.01	-	นาโนเมตร/mA

6. การวาดบรรจุภัณฑ์และคำจำกัดความ PIN-OUT (หน่วย: มม.) ของ 1370nm DFB ในตัว Isolator Butterfly Laser Diode

ประเภท 1

ประเภท 2

7. ส่งมอบ จัดส่ง และให้บริการ 1370nm DFB ในตัว Isolator Butterfly Laser Diode

ผลิตภัณฑ์ทั้งหมดได้รับการทดสอบก่อนส่งออก

ผลิตภัณฑ์ทั้งหมดมีการรับประกัน 1-3 ปี (หลังจากระยะเวลารับประกันคุณภาพเริ่มเรียกเก็บค่าบริการบำรุงรักษาที่เหมาะสม)

ขอขอบคุณสำหรับธุรกิจของคุณและเสนอนโยบายคืนสินค้าทันทีใน 7 วัน (7 วันหลังจากได้รับสินค้า);

หากสินค้าที่คุณซื้อจากร้านค้าของเราไม่มีคุณภาพที่สมบูรณ์แบบ นั่นคือไม่ทำงานทางอิเล็กทรอนิกส์ตามข้อกำหนดของผู้ผลิต เพียงส่งคืนให้เราเพื่อเปลี่ยนหรือคืนเงิน

หากรายการมีข้อบกพร่องโปรดแจ้งให้เราทราบภายใน 3 วันของการจัดส่ง

ต้องส่งคืนสินค้าใด ๆ ในสภาพเดิมเพื่อให้มีคุณสมบัติในการคืนเงินหรือเปลี่ยนสินค้า

ผู้ซื้อเป็นผู้รับผิดชอบค่าขนส่งทั้งหมดที่เกิดขึ้น

8. คำถามที่พบบ่อย

Q: อยากได้ความยาวคลื่นเท่าไหร่?

A: เรามีความยาวคลื่นขนาดใหญ่ตั้งแต่ 1270nm ถึง 1650nm

ถาม: อะไรคือข้อกำหนดสำหรับกำลังขับ?

ตอบ: เรามีตัวเลือก 10mW และ 20mW เรายังสามารถปรับแต่งตามความต้องการของคุณ

ถาม: คุณต้องการไฟเบอร์ชนิดใด

ตอบ: เส้นใย SM หรือเส้นใย PM

แท็กยอดนิยม: 1370nm DFB สร้างขึ้นใน Isolator Butterfly Laser Diode ผู้ผลิตผู้จำหน่ายขายส่งโรงงานกำหนดเองจำนวนมากจีนผลิตในประเทศจีนราคาถูกราคาถูกคุณภาพ