500um TO CAN InGaAs โฟโตไดโอด APD เป็น InGaAs APD ที่ใหญ่ที่สุดที่มีจำหน่ายในท้องตลาด พร้อมการตอบสนองสูงและเวลาขึ้นและลงที่เร็วมากตลอดช่วงความยาวคลื่น 1100 ถึง 1650 นาโนเมตร การตอบสนองสูงสุดที่ 1550 นาโนเมตรเหมาะอย่างยิ่งสำหรับแอปพลิเคชันค้นหาระยะที่ปลอดภัย eys พื้นที่ว่างออปติคัล การสื่อสาร OTDR และ Optical Coherence Tomography ชิปนี้ถูกปิดผนึกอย่างแน่นหนาในแพ็คเกจ TO ที่ดัดแปลง และยังมีตัวเลือกแบบ Pigtailed
500um TO CAN InGaAs โฟโตไดโอด APD เป็น InGaAs APD ที่ใหญ่ที่สุดที่มีจำหน่ายในท้องตลาด พร้อมการตอบสนองสูงและเวลาขึ้นและลงที่เร็วมากตลอดช่วงความยาวคลื่น 1100 ถึง 1650 นาโนเมตร การตอบสนองสูงสุดที่ 1550 นาโนเมตรเหมาะอย่างยิ่งสำหรับแอปพลิเคชันค้นหาระยะที่ปลอดภัย eys พื้นที่ว่างออปติคอล การสื่อสาร OTDR และ Optical Coherence Tomography
ชิปถูกปิดผนึกอย่างผนึกแน่นในแพ็คเกจ TO ที่ดัดแปลง และยังมีตัวเลือกแบบหางหมูอีกด้วย
500um TO CAN InGaAs โฟโตไดโอด APD เป็น InGaAs APD ที่ใหญ่ที่สุดที่มีจำหน่ายในท้องตลาด พร้อมการตอบสนองสูงและเวลาขึ้นและลงที่เร็วมากตลอดช่วงความยาวคลื่น 1100 ถึง 1650 นาโนเมตร การตอบสนองสูงสุดที่ 1550 นาโนเมตรเหมาะอย่างยิ่งสำหรับแอปพลิเคชันค้นหาระยะที่ปลอดภัย eys พื้นที่ว่างออปติคอล การสื่อสาร OTDR และ Optical Coherence Tomography
ชิปถูกปิดผนึกอย่างผนึกแน่นในแพ็คเกจ TO ที่ดัดแปลง และยังมีตัวเลือกแบบหางหมูอีกด้วย
ตรวจจับช่วง 1100nm-1650nm;
ช่วงไดนามิกกว้าง
มีความรับผิดชอบสูง
กระแสมืดต่ำ
แพ็คเกจมาตรฐาน TO-46
เซ็นเซอร์ออปติคัล
การสื่อสารด้วยแสงในอวกาศฟรี
พารามิเตอร์ | เครื่องหมาย | เงื่อนไข | นาที. | สูงสุด | หน่วย |
PD แรงดันย้อนกลับ | วีอาร์ | วว | - | วีบีอาร์ | V |
ส่งต่อกระแส | ถ้า | วว | - | 10 | ม |
กระแสย้อนกลับ | ไออาร์ | วว | - | 10 | ม |
อุณหภูมิในการทำงาน | สูงสุด | อุณหภูมิเคส | -40 | +85 | ℃ |
อุณหภูมิในการจัดเก็บ | ทีเอสทีจี | อุณหภูมิโดยรอบ | -40 | +85 | ℃ |
อุณหภูมิในการบัดกรีตะกั่ว / เวลา | ท | - | - | 260/10 | /ส |
พารามิเตอร์ | เครื่องหมาย | เงื่อนไข | นาที. | ประเภท | สูงสุด | หน่วย |
ช่วงความยาวคลื่น | λ | 1100 | - | 1650 | นาโนเมตร | |
พื้นที่ใช้งาน | φ | - | - | 500 | - | อืม |
ความรับผิดชอบ | อีกครั้ง | M=1,λ=1550nm | 0.80 | - | - | เอ/ดับบลิว |
ตัวคูณ | M | VR=VBR-4, λ=1550nm,Ïe=1uW | 10 | - | - | - |
กระแสมืด | รหัส | VR=VBR-4, Ïe=0 | - | 60 | 200 | นา |
แรงดันพังทลายย้อนกลับ | วีบีอาร์ | ID=10μA, Ïe=0 | 40 | - | 55 | V |
แบนด์วิธ | บี.ดับเบิลยู | จุด -3dB, M=10, RL=50Ω | - | 2.5 | - | กิกะเฮิรตซ์ |
ความจุ | C | M=10, Ïe=0, f=1MHz | - | 8 | - | พีเอฟ |
ผลิตภัณฑ์ทั้งหมดได้รับการทดสอบก่อนส่งออก
ผลิตภัณฑ์ทั้งหมดมีการรับประกัน 1-3 ปี (หลังจากระยะเวลารับประกันคุณภาพเริ่มคิดค่าบริการบำรุงรักษาที่เหมาะสม)
เราขอขอบคุณสำหรับธุรกิจของคุณและเสนอนโยบายการคืนสินค้าทันทีภายใน 7 วัน (7 วันหลังจากได้รับสินค้า);
หากสินค้าที่คุณซื้อจากร้านของเราไม่มีคุณภาพที่สมบูรณ์แบบ นั่นคือสินค้าเหล่านั้นไม่ทำงานด้วยระบบอิเล็กทรอนิกส์ตามข้อกำหนดของผู้ผลิต เพียงแค่ส่งคืนสินค้านั้นมาให้เราเพื่อเปลี่ยนหรือคืนเงิน
หากสินค้ามีข้อบกพร่อง โปรดแจ้งให้เราทราบภายใน 3 วันนับจากวันจัดส่ง
ต้องส่งคืนสินค้าใดๆ ในสภาพเดิมเพื่อให้มีสิทธิ์ได้รับเงินคืนหรือเปลี่ยนสินค้า
ผู้ซื้อเป็นผู้รับผิดชอบค่าขนส่งทั้งหมดที่เกิดขึ้น
ตอบ: เรามีโฟโตไดโอดพื้นที่ใช้งาน 0.3 มม. 0.5 มม. 1 มม.
ถาม: ข้อกำหนดสำหรับตัวเชื่อมต่อคืออะไร?A: Box Optronics สามารถปรับแต่งตามความต้องการของคุณ
ลิขสิทธิ์ @ 2020 Shenzhen Box Optronics Technology Co., Ltd. - China Fiber Optic Modules, Fiber Coupled Lasers Manufacturers, Laser Components Suppliers All Rights Reserved.