ชิปเลเซอร์พัลซิ่ง 905nm 50W

พารามิเตอร์

เครื่องหมาย

นาที.

ประเภท.

สูงสุด

หน่วย

การดำเนินการ

ศูนย์ Wความยาว

เข้าใจแล้ว

895

905

915

นาโนเมตร

พีค โอเอาท์พุท Pสูงกว่า

ปอ

50

-

-

W

ปฏิบัติการ มบทกวี

-

คิวซีดับบลิว

-

ความกว้างของพัลส์

t

-

200

-

%

ความถี่

f

-

5

-

กิโลเฮิรตซ์

รอบหน้าที่

D

-

0.1

-

%

ข้อมูลแสงไฟฟ้า

เกณฑ์ Cปัจจุบัน

I_ไทย

-

0.7

-

A

ปฏิบัติการ คปัจจุบัน

I_อป

-

14

-

A

ปฏิบัติการ Vอำนาจ

V_อป

-

7.6

-

V

ความลาดชัน อีประสิทธิภาพ

η_D

-

3.7

-

ดับบลิว/เอ

ประสิทธิภาพการแปลงทั้งหมด

η

-

47

-

%

ช้าxis งเวอร์เจนซี (FWHM)

θ_‖

-

12

-

องศา

รวดเร็วxis Dเวอร์เจนซี (FWHM)

θ_⊥

-

31

-

องศา

ความกว้างสเปกตรัม (FWHM)

Îλ

-

5

-

นาโนเมตร

ค่าสัมประสิทธิ์อุณหภูมิของความยาวคลื่น

λ_T

-

0.28

-

นาโนเมตร/℃

โพลาไรเซชัน

-

-

TE

-

-

ปฏิบัติการแอลดีtอุณหภูมิ

-

-

25

-

℃

ทางเรขาคณิต

หน้าตัดการฉีดปัจจุบันn

กxย

-

150x10

-

มม²

โพรงlอังกฤษ

L

-

750

-

มม

ความกว้างของชิป

W

-

400

-

มม

ความสูงของชิป

H

-

150

-

มม