โมดูลเลเซอร์ไฟเบอร์พัลส์นาโนวินาทีเสียงรบกวนต่ำ 1550nm ผู้ผลิต

ยินดีต้อนรับสู่บูธของเราศูนย์ประชุมแห่งชาติปักกิ่ง บูธ: C71-2

ไฟเบอร์เลเซอร์หมายถึงเลเซอร์ที่ใช้ใยแก้วเจือด้วยธาตุหายากเป็นสื่อกลางที่ได้รับ ไฟเบอร์เลเซอร์สามารถพัฒนาได้บนพื้นฐานของเครื่องขยายสัญญาณไฟเบอร์: ความหนาแน่นของพลังงานสูงเกิดขึ้นได้ง่ายในไฟเบอร์ภายใต้การกระทำของแสงปั๊ม ส่งผลให้เกิดเลเซอร์ ระดับพลังงานเลเซอร์ของสารทำงานคือ "การผกผันของตัวเลข" และเมื่อมีการตอบรับเชิงบวก เพิ่มลูป (เพื่อสร้างช่องเรโซแนนซ์) อย่างเหมาะสม สามารถสร้างเอาท์พุตการสั่นด้วยเลเซอร์ได้

ไจโรสโคปของไฟเบอร์ออปติกเป็นเซ็นเซอร์ความเร็วเชิงมุมของไฟเบอร์ ซึ่งเป็นเซ็นเซอร์ที่มีแนวโน้มมากที่สุดในบรรดาเซ็นเซอร์ไฟเบอร์ออปติกต่างๆ ไจโรสโคปแบบไฟเบอร์ออปติก เช่นเดียวกับไจโรสโคปแบบวงแหวนเลเซอร์ มีข้อดีคือไม่มีชิ้นส่วนที่เคลื่อนไหวด้วยกลไก ไม่มีเวลาอุ่นเครื่อง การเร่งความเร็วแบบไร้ความรู้สึก ช่วงไดนามิกกว้าง เอาต์พุตดิจิตอล และขนาดที่เล็ก นอกจากนี้ ไจโรสโคปแบบไฟเบอร์ออปติกยังเอาชนะข้อบกพร่องร้ายแรงของไจโรสโคปแบบเลเซอร์วงแหวน เช่น ค่าใช้จ่ายสูงและปรากฏการณ์การปิดกั้น ดังนั้นไจโรสโคปแบบไฟเบอร์ออปติกจึงได้รับการยกย่องจากหลายประเทศ ไจโรสโคปไฟเบอร์ออปติกพลเรือนที่มีความแม่นยำต่ำได้รับการผลิตเป็นชุดเล็กๆ ในยุโรปตะวันตก คาดว่าในปี 1994 ยอดขายไจโรสโคปแบบไฟเบอร์ออปติกในตลาดไจโรสโคปของอเมริกาจะสูงถึง 49% และไจโรสโคปแบบเคเบิลจะครองอันดับสอง (คิดเป็น 35% ของยอดขาย)

เลเซอร์-อุปกรณ์ที่สามารถเปล่งแสงเลเซอร์ได้ แอมพลิฟายเออร์ควอนตัมไมโครเวฟเครื่องแรกผลิตขึ้นในปี 1954 และได้รับลำแสงไมโครเวฟที่สอดคล้องกันอย่างมาก ในปี 1958 A.L. Xiaoluo และ C.H. เมืองขยายหลักการของเครื่องขยายควอนตัมไมโครเวฟไปยังช่วงความถี่แสง ในปี 1960 T.H. เมย์แมนและคนอื่นๆ ได้ทำเลเซอร์ทับทิมเป็นครั้งแรก ในปี 1961 A. Jia Wen และคนอื่นๆ ได้ทำเลเซอร์ฮีเลียม-นีออน ในปี พ.ศ. 2505 R.N. Hall และคนอื่นๆ ได้สร้างเลเซอร์สารกึ่งตัวนำแกลเลียม arsenide ในอนาคตจะมีเลเซอร์หลายประเภทมากขึ้นเรื่อยๆ ตามสื่อการทำงาน เลเซอร์สามารถแบ่งออกเป็นสี่ประเภท: เลเซอร์ก๊าซ เลเซอร์แข็ง เลเซอร์เซมิคอนดักเตอร์ และเลเซอร์ย้อม เมื่อเร็ว ๆ นี้ได้มีการพัฒนาเลเซอร์อิเล็กตรอนอิสระ เลเซอร์กำลังสูงมักจะเป็นพัลซิ่งเอาท์พุต

ชื่อเต็มของ VCESL คือเลเซอร์เปล่งแสงพื้นผิวโพรงแนวตั้ง ซึ่งเป็นโครงสร้างเลเซอร์เซมิคอนดักเตอร์ซึ่งมีโพรงเรโซแนนซ์แสงเกิดขึ้นในทิศทางที่ตั้งฉากกับเวเฟอร์เอพิเทกเซียลของเซมิคอนดักเตอร์ และลำแสงเลเซอร์ที่ปล่อยออกมาตั้งฉากกับพื้นผิวของสารตั้งต้น เมื่อเปรียบเทียบกับ LED และเลเซอร์เปล่งแสงที่ขอบ EEL แล้ว VCSEL นั้นเหนือกว่าในแง่ของความแม่นยำ การย่อขนาด การใช้พลังงานต่ำ และความน่าเชื่อถือ

เลเซอร์ไดโอดเซมิคอนดักเตอร์ซึ่งสามารถแปลงพลังงานไฟฟ้าเป็นพลังงานแสงได้โดยตรง มีลักษณะของความสว่างสูง ประสิทธิภาพสูง อายุการใช้งานยาวนาน ขนาดเล็ก และการปรับโดยตรง